三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
据《首尔经济日报》报道，三星电子将采用世界上最大的晶圆OEM台积电制造技术，生产下一代定制高带宽内存（HBM）关键部件——基底裸片（base die）。在此之前，三星提供了所有的供应 HBM 在产品中，关键裸片作为存储芯片（core die）三星独立生产基底裸片作为系统半导体。现在三星决定接受英伟达的技术要求，调整和调整英伟达的技术要求 HBM 一站式全包制造模式。
业内人士 18 日称，英伟达已向三家公司表示， NVHBM 供应商-三星电子，SK 海力士（000660.KS）和美光提出要求:使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片。英伟还要求核心裸片统一编号。 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于下一代的第七代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达在 8 每月发布的定制版高带宽内存。
英伟达之所以提出这一要求，是因为各家各户都提出了这一要求 HBM 供应商制造方案不同，基于同一套设计难以实现稳定一致的性能。标准化还可以减少每个供应商独立产品验证的工作量。负责三星晶圆OEM业务的设备解决方案业务部（Device Solutions）经内部评估，决定接受英伟达的需求。
报告中提到，对于标准 HBM 商品方面，三星仍将保留一站式全包生产策略。今年，三星率先量产第六代。 HBM4，目前第七代， HBM4E 量产验证正在进行中；这两款产品的基底裸片均采用三星自主研发的裸片 4 纳米OEM技术，核心裸片位于三星华城、平泽厂 1c 产线生产。
面向 AMD 等待其他客户定制 HBM，三星计划继续采用一站式全包生产计划。与此同时，三星还保留了在自己的晶圆厂的研发和生产。 NVHBM 概率。一位业内人士表示：“三星正在验证能否在自己的生产线上制造 NVHBM 基底裸片。这是一个避免避免避免的计划。 NVHBM 需求超过台积电产能上限。”
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